同軸開(kāi)關(guān)插損是測(cè)量功率損失和信號(hào)衰減。特定頻率下開(kāi)關(guān)的插損可以使用在該頻率開(kāi)關(guān)所引起的功率損失/電壓衰減來(lái)計(jì)算，駐波比是反射波和傳輸波的比率。之前提到，在高頻傳輸中，信號(hào)通過(guò)傳輸線傳播時(shí)具有波的形式和形狀。因此，就像聲波、光波等，當(dāng)信號(hào)在不同介質(zhì)之間（例如不匹配阻抗的器件）傳播會(huì)發(fā)生反射。在一個(gè)開(kāi)關(guān)模塊中，這種不匹配可能是連接器和PCB跡線之間的特征阻抗，以及實(shí)際的繼電器本身，由于駐波比測(cè)量反射波的功率，它常常也用來(lái)衡量傳輸線的功率損耗。根據(jù)其自身相位，輸入信號(hào)可能會(huì)與反射波相加減。這取決于反射波相對(duì)于輸入信號(hào)是同相還是反相，同相時(shí)取到最大值，反相時(shí)取到最小值。

鐵氧體開(kāi)關(guān)的原理是改變偏置磁場(chǎng)方向，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)磁率的改變，改變了信號(hào)的傳輸常數(shù)，以達(dá)到開(kāi)關(guān)目的。IN管在正反向低頻信號(hào)作用下，對(duì)微波信號(hào)有開(kāi)關(guān)作用。正向偏置時(shí)對(duì)微波信號(hào)的衰減很?。?.5dB），反向偏置時(shí)對(duì)微波信號(hào)的衰減很大（25dB）。BJT和FET開(kāi)關(guān)的原理與低頻三極管開(kāi)關(guān)的原理相同，基極（柵極）的控制信號(hào)決定集電極（漏極）和發(fā)射極（源極）的通斷。放大器有增益，反向隔離大，特別適合于MMIC開(kāi)關(guān)。MEMS微機(jī)械電路是近年發(fā)展起來(lái)的一種新型器件，也可以用作同軸開(kāi)關(guān)器件。

射頻同軸連接器射頻同軸連接器的命名方法型號(hào)命名射頻同軸連接器的型號(hào)由主稱代號(hào)和結(jié)構(gòu)代號(hào)兩部分組成，中間用短橫線"-"隔開(kāi)。主稱代號(hào)射頻連接器的主稱代號(hào)采用國(guó)際上通用的主稱代號(hào)，具體產(chǎn)品的不同結(jié)構(gòu)形式的命名由詳細(xì)規(guī)范作出具體規(guī)定。結(jié)構(gòu)形式代號(hào)射頻連接器的結(jié)構(gòu)。實(shí)際的電性能取決于電纜的性能、電纜的接觸、連接器的幾何尺寸、內(nèi)導(dǎo)體的接觸等等。同軸線的最大頻率必須是傳輸線中最薄弱的元件的最大使用頻率，因?yàn)樗Q于所有元件而不是某個(gè)元件。舉個(gè)例子，某個(gè)射頻連接器的使用頻率是10GHZ，與它相連接的電纜的使用頻率是5GHZ，此組件的最大使用頻率是5GHZ。